个人 简历 |
(包括本科及以上学习及工作简历) 1. 教育背景 2006-2010,博士,我院,材料学,严酷工况下异种材料连接及界面服役 2000-2003,硕士,我院,材料加工工程,金属焊接性研究 1996-2000,学士,我院,材料加工工程,焊接工艺与设备 1998-2000,学士,我院,英语 2.工作经历 2018.7- 院长,我院国际教育交流学院 2017.11-2018.02,访问学者,奥本大学(Xinyu Zhang) 2016.02-2018.7 副院长,我院国际教育交流学院 副院长 2015.11- 教授,我院,材料科学与工程 2014.08-2015.08,访问学者,加州理工学院(G. Jeff Snyder) 2012.07-2016.02,所长,皇冠电子游戏官网,焊接研究所 2010.08-2011.08,访问学者,加州大学戴维斯分校(Zuhair A Munir & Susan M Kauzlarich) 2010.06-2015.10,副教授,我院,材料科学与工程 2006.12-2010.06,讲师,我院,材料科学与工程 2003.06-2006.12,助教,我院,材料科学与工程 |
代表性论文(专著、教材):(限列3篇论文) [1] An D, Chen S, Lu Z, et al. Low Thermal Conductivity and Optimized Thermoelectric Properties of p-Type Te–Sb2Se3: Synergistic Effect of Doping and Defect Engineering[J]. ACS applied materials & interfaces, 2019, 11(31): 27788-27797.(SCI,1区) [2] Fan W, Chen S, Zeng B, et al. Enhancing the zT Value of Bi-Doped Mg2Si0. 6Sn0. 4 Materials through Reduction of Bipolar Thermal Conductivity[J]. ACS applied materials & interfaces, 2017, 9(34): 28635-28641.(SCI,1区) [3] Yang X, Chen S, Zhang H, et al. Thermoelectric Properties and Transport Mechanism of Pure and Bi‐Doped SiNWs‐Mg2Si[J]. physica status solidi (a), 2018, 215(5): 1700742. (SCI,2区) |
授权专利: [1] 多层陶瓷内衬复合管及其制备方法.专利号:ZL200610012669.8. [2] 一种制备纳米Mg2-xSiREx热电材料的方法.ZL 201110425658.3 [3] 高纯纳米粉体Mg2-xSiTMx热电材料的制备方法.ZL 201210026254.1. [4] 电场反应法热压法制备多孔纳米镁硅基块体热电材料的方法.ZL 201310106901.4 [5] 一种利用多晶硅副产物制备镁硅基热电材料的方法.ZL201310126683.0 [6] 一种热电材料Mg2Sn及其制备方法. ZL 201310366023.X [7] 超硬材料铝镁硼-二硼化钛铝镁硼-反应扩散与金属的反应扩散连接方法. ZL2013102897568 [8] 机械合金化辅助固液固法制备自分散硅纳米线粉体.ZL 201410245993.9 [9] 微波辅助MgH2固相反应法制备Mg2SixSn1-xBiy基热电材料的方法.ZL201410343346.1 [10] 镁硅基硅纳米线复合热电材料的制各方法.ZL 201412352839.1 |